プラズマ援用研磨法の開発（第17報） 減圧型プラズマ援用研磨による4H-SiCの軟質砥粒研磨特性の評価

辻内 健太郎; 孫 栄硯; 大久保 雄司; 遠藤 勝義; 山村 和也

doi:10.11522/pscjspe.2017A.0_497

2017年度精密工学会秋季大会

セッションID: G64

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2017A.0_497

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2017年度精密工学会秋季大会

開催地: 大阪大学

開催日: 2017/09/20 - 2017/09/22

プラズマ援用研磨法の開発（第17報）

減圧型プラズマ援用研磨による4H-SiCの軟質砥粒研磨特性の評価

*辻内健太郎, 孫栄硯, 大久保雄司, 遠藤勝義, 山村和也

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キーワード: プラズマ援用研磨, ワイドギャップ半導体, SiC, GaN, ダメージフリー, スラリーレス

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抄録

我々は，パワーデバイス用半導体材料であるSiCやGaNに対して，プラズマ照射による表面改質と軟質砥粒による改質層の除去により，高能率かつダメージフリーで研磨を進行させるプラズマ援用研磨法を提案している．現在，プラズマの安定化かつ大面積化を目的とし，減圧雰囲気下におけるプラズマ援用研磨法を検討している．本報では，試作した減圧型プラズマ援用研磨装置を用いて、4H-SiCにおける軟質砥粒研磨の電力依存性を調査した．

責任著者(Corresponding author)

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