ステップを有するGaN基板モデルを用いた化学機械研磨プロセスの計算化学的検討

抄録

次世代半導体基板として注目されるGaNは、難加工材料であるため、高速かつ高精度で平坦化するためのCMPプロセス設計が求められている。我々はこれまで、計算化学手法を用いて、GaN(0001)基板のCMPメカニズムを検討してきた。本研究では、より現実に即した環境を再現するため、ステップを有するGaN基板モデルを用いてCMPシミュレーションを行った。その結果、ステップ端から基板が酸化し、研磨が進行するメカニズムを明らかにした。