ウェーハ回転時の液流れにおける粒子除去特性

抄録

半導体の微細化とともに、CMP工程で使用される砥粒径は小さくなる傾向にあり、効率よく除去するCMP後の洗浄技術が求められている。そこで、数十～数百nmオーダーのシリカ粒子による汚染サンプルウェーハを用いてウェーハ回転時の液流れにおける粒子除去特性について調査した。さらに、ウェーハ回転時の液流れの可視化像と対比することで、液流れによる粒子除去特性を明らかにする。