高周波スパッタ法によるc-BN薄膜成長に及ぼす基板の影響

抄録

我々は，これまで熱分解BNターゲットを高周波スパッタしてSi基板上にc-BN薄膜を成長させることを試みてきた．本研究では，金属基板上でも同様に成長させることが可能か調査することを目的とし，基板にステンレス薄膜を用い実験を行った．その結果，同条件で成長させてもSi基板の方がc-BN含有率の高い薄膜が成長することがわかった．また，基板との密着性を向上にはh-BN中間層が有効であることも明らかとなった．