ナノバブル圧壊時に生じるジェット流が半導体基板研磨に及ぼす影響の分子動力学シミュレーション

抄録

パワー半導体デバイスの需要増加に伴い、CMPによるSiC、GaNといった高硬度な半導体基板の研磨速度向上が求められている。我々はナノバブルが圧壊した際に生じるジェット流の利用を考えた。ジェット流は衝撃波よりも強い衝撃力を持っているため、ジェット流を基板に衝突させることで研磨速度の向上が期待できる。そこで、本講演ではジェット流によるSiC半導体基板への影響を、分子動力学計算を用いて解析した結果を報告する。