グラフェン触媒を用いた半導体表面での選択エッチングの溶液条件依存性

抄録

金属アシストエッチングは、半導体表面にナノスケールの構造体を形成する新たな手法として知られている。我々は，従来の金属では無く、グラフェンを触媒とした新たなウェットエッチング法に着目し、研究を進めている。今回は、単一レベルのグラフェンシートを散布・形成した半導体（Ge）表面を浸漬する溶液条件（組成や温度）が、グラフェン近傍でのエッチング特性に与える影響について、原子間力顕微鏡観察を用いて調査した。