層流下のコバルト腐食に対する溶存酸素濃度の影響

抄録

先端半導体の配線材料としてコバルトの採用が進んでいるが、コバルトは溶解しやすく、腐食抑制が課題の一つである。そこで、マイクロ流路ユニットを用いてＣＭＰ後洗浄プロセスでの水リンス時の腐食を評価した。溶存酸素濃度の低下がコバルトの腐食を進行させること、また、ＣＶＤとめっきの腐食速度の違いを確認した。これらの結果について、光電子分光法によるコバルト表面の酸化状態から現象を推察した。