反応力場分子動力学シミュレーションによる窒化物半導体基板のナノバブルを用いた化学機械研磨プロセスの検討

抄録

窒化アルミニウムは深紫外LEDとして注目されているが性能向上には界面の平坦性が重要となる。平坦化処理技術として化学機械研磨(CMP)が用いられ、CMPにナノバブルを導入することで研磨効率の向上が期待されている。本研究では分子動力学法に基づくナノバブルを用いた窒化アルミニウム基板の研磨シミュレーションを行い、ナノバブル圧壊によるジェット流が基板の酸化を促進させることを明らかにした。