シリコン貫通電極模擬構造を用いためっき進展リアルタイム観察

抄録

シリコン貫通電極(TSV：Through Silicon Via)は深孔に導電体を充填して作製される．複数の添加剤を使用することで孔底部からのボトムアップ堆積を実現できる電解銅めっきが検討されているが，このボトムアップ堆積や添加剤の働きには未だ不明な点が多い．本研究では，めっき抑制効果を有するレベラーの単体添加によるボトムアップ堆積挙動に着目し，マイクロ流体デバイスを開発してめっき進展挙動のリアルタイム外観観察を行った．