電気化学機械研磨によるSiCの高能率スラリーレス加工法の開発（第9報）

電解液の液性における4H-SiC(0001)の酸化特性の評価

抄録

単結晶SiCは、高出力・高周波デバイス用次世代半導体材料として有望視されており、SiCの高能率研磨技術としてスラリーレス電気化学機械研磨(ECMP)が提案されている。本報ではECMPで用いる4H-SiC(0001)に対して、NaClとKOHの2種類の異なる液性の電解液について、定電流モードで同時間酸化実験を行って、電解液の違いによる表面酸化特性を評価した。