カーボンドープInGaP/GaAs HBTの信頼性

抄録

ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)の, 二つの主な劣化機構と解決方法について解説する。劣化現象の一つは、比較的短時間でV_<BE>の変動として生じるモードで, 結晶中の水素原子が原因である。もう一方は比較的長時間の動作後に生じる電流利得の急激な減少であり, 結晶欠陥を生じにくいInGaPエミッタ材料の選択と, 表面再結合を抑制するデバイス構造がキーポイントとなる。