表面技術
Online ISSN : 1884-3409
Print ISSN : 0915-1869
ISSN-L : 0915-1869
解説
電子デバイスへ向けた原子層堆積法で作製した金属酸化膜の研究
生田目 俊秀
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キーワード: ALD, Electronic Device, SiO2 Selective Growth, GaN/HfSiOx Capacitor, C-doped InOx TFT
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2023 年 74 巻 3 号 p. 137-140

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