半導体量子効果デバイスにおける量子輸送と制御

抄録

近年、ナノテクノロジーや新規材料を用いて微細な半導体中で発現する量子力学的および相対論的量子力学的現象を観測・制御することが可能となり、次々とエキゾチックな物理現象が発見されたり新規機能をもつ量子効果素子が実現されたりしている。本総説では、相対論的量子力学があらわれる半導体ナノデバイスの量子輸送現象、とくにシリコンカーバイド上グラフェンの量子ホール状態と量子キャパシタンスの研究、およびIII-V属半導体ナノワイヤを用いたスピン軌道相互作用の外部電界制御の研究について報告する。