SPring-8/SACLA利用研究成果集
Online ISSN : 2187-6886
Section B
Si-MOSのバイアス印加硬X線光電子分光による評価
片岡 恵太渡辺 行彦木本 康司北住 幸介
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ジャーナル オープンアクセス

2013 年 1 巻 3 号 p. 181-183

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抄録
半導体デバイスにおいてバイアスを印加した際のバンドエネルギーの変化は、デバイス動作を解析する上で重要な情報となる。我々は、半導体MOS(metal-oxide-semiconductor)界面におけるバイアス印加によって生じるバンドエネルギー変化の直接的な観察を目的に、バイアス印加状態で硬X線光電子分光による評価を試みた。標準的なSi-MOS試料について測定を実施し、ほぼ印加バイアスに対応したSi 1sコアレベルのシフトが確認できた。
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