Si-MOS の電圧印加硬Ｘ線光電子分光測定におけるＸ線照射の影響

抄録

　電圧印加下の硬Ｘ線光電子分光法 (HAXPES) による MOS (metal-oxide-semiconductor) デバイスの界面準位密度評価に向けて、SiO₂/Si 構造を用いて HAXPES 測定時に照射されるＸ線の影響を調査した。Ｘ線照射前後の容量-電圧測定の比較により、欠陥形成に起因した酸化膜中電荷と界面準位電荷が生成することがわかった。実際に HAXPES によりゲート電圧に依存した MOS 界面のエネルギーバンド位置を測定したところ、このような欠陥形成により、Ｘ線照射密度に依存した結果が得られた。