Nd 磁石に Dy を添加すると、磁化は減少する一方で、保磁力が増し高温性能が向上する。このことは、スピンと軌道磁気モーメントそれぞれの大きさと向きに対応付けて理解される。これらの磁気モーメントを正しく評価することは、高性能磁石材料開発の第一歩であると考えられる。本研究では、磁気コンプトン散乱と磁化率測定を組み合わせた実験手法と電子状態計算手法の両側面から、市販磁石材料について、スピン・軌道磁気モーメントの評価を試みた。
We investigated the feasibility of visualizing and characterizing the spatial associations between vessels of the rat renal microcirculation using 3D images. We compared the quality of Microfil® and Micro-Angiofil® as filling mediums. 3D visualization of the blood vessels appeared promising, but we were unable to extract quantitative information on the microvessels from the images obtained.
Three high-resolution / high-energy phase-contrast X-ray nano-tomography (XNT) techniques were tested, with the spatial resolution, contrast, and artefacts being evaluated. All the experiments utilized apodization Fresnel zone plates (A-FZP), which have been recently developed for the purpose of imaging characteristics improvement, taking advantage of the A-FZP’s secondary benefit that its thicker inner zone makes it readily applicable for use with high X-ray energies. The techniques employed in the present study were the imaging-type XNT combined with Zernike phase-contrast optics, the X-ray schlieren phase-contrast method, and the defocusing phase-contrast method. All the methods successfully recognized a density difference of 3.7 % between α and β grains in a Ti-6Al-4V alloy at an X-ray energy of 20 keV, together with an excellent spatial resolution within a scanning time of 1h. The Zernike phase-contrast method was then successfully applied to in-situ XNT observation of the transformation behavior of retained austenite in a duplex carbon steel at an X-ray energy of 20 ~ 37.7 keV. The characteristic local transformation behavior of the retained austenite was revealed through a series of 3D images and quantitative data obtained from the 3D images.
SiC パワーデバイス電極用 Ni シリサイド膜、及びレーザーダイオード用の GaAs 基板上 InGaP 膜の XAFS 解析を行い、それぞれ、アニール用レーザーパワー変化時の Ni 原子、及び Zn 拡散用加熱条件変化時の Ga 原子周りの局所構造変化を調査した。その結果、Ni シリサイド膜ではレーザーパワーを高くするにつれて、膜組成が特異な傾向なく Si リッチになっていくことを示す結果が得られ、レーザーパワー条件最適化は密着性等のマクロな特性にのみ着目して進めれば良いことが分かった。GaAs 基板上 InGaP 膜については、今回の実験条件では GaAs 基板からの信号が支配的であり、InGaP 膜中の Ga 原子周りの局所構造変化は捉えられないため、検出方法や着目元素の再考が必要であることが分かった。