抄録
磁気トンネル接合 (MTJ) は省電力で高速動作可能なスピントロニクス素子であり、その高性能化に向けて世界規模での熾烈を極めた競争が行われている。CoFeB/MgO 接合は界面磁気異方性を有しながら高いトンネル磁気抵抗比を有するため、MTJ の最も基本的な構成の一つであると同時に、本構成を用い電界による磁気異方性変調を介した超低消費電力磁化反転が実現されている。本研究では、Ｘ線磁気円二色性 (XMCD) を用いることで、本接合の磁気異方性とその電界効果の起源を元素ごとに解明することを念頭に環境構築を行った。素子構造及び測定系の検討の結果、電界効果素子の絶縁体を窒化物とし、CoFeB/MgO 接合をその直上に作製した電界効果素子において部分蛍光収量法により、感度良く XMCD 測定が可能であることを明らかにした。
