ディラック半金属・強磁性絶縁体界面における磁気近接効果の評価

抄録

　ディラック半金属に強磁性秩序を誘起すると、ディラック点がワイル点へと分裂しその電子状態・磁気状態が大きく変化すると予測される。典型的なディラック半金属である Cd₃As₂ の薄膜を強磁性絶縁体基板上に作製すると、磁気近接効果により強磁性状態を誘起できることがわかってきた。本研究では、この Cd₃As₂ と強磁性絶縁体とのヘテロ界面における磁気近接効果をＸ線磁気円二色性の測定により評価した。