Ｘ線吸収微細構造法を用いた GaN 基板上の窒化物系混晶半導体 Al_0.82In_0.18N における Al 原子近傍の局所構造解析

抄録

　窒化物系面発光レーザの導電性分布ブラック反射鏡材料として期待されている窒化物系混晶半導体 Al_0.82In_0.18N 中の Al 原子近傍の局所構造を、Ｘ線吸収微細構造法により解析した。その結果、Al_0.82In_0.18N を構成する In-N と Al-N のボンド長が 14％ も異なることで相分離を起こし易いにもかかわらず、以前報告した In 原子の場合と同様に、Al 原子は理想的な窒化物半導体におけるIII族原子位置を占有していると考えられる。