集束イオンビームマイクロサンプリングにより摘出した Ga_1-xIn_xN/GaN 五重量子殻に対するＸ線ナノビーム回折

抄録

　1200 nm 間隔で林立している Ga_1-xIn_xN/GaN 五重量子殻の３本を、集束イオンビーム（FIB）マイクロサンプリングにより摘出し、このうち１本の量子殻側壁にX線ナノビームを照射することで回折測定を行った。その結果、
1 1 0 0 回折の逆格子マップにおいて、GaN 及び Ga_1-xIn_xN/GaN 五重量子殻からの -2 次から +2 次までのサテライト信号が観測され、量子井戸層幅と障壁層幅を加えた周期を 12.2 nm、量子井戸層内の In 組成を 26 % と見積もった。