半導体パッケージ基板用樹脂の熱硬化過程における残留応力その場観察による製造プロセスの最適化

抄録

半導体パッケージ基板用樹脂の熱硬化過程における残留応力評価をX線回折法により実施した。2次元検出器PILATUS 300Kを用い、入射X線ビームサイズと試料へのX線露光時間を検討することにより、1測定3分という高速評価手法を確立し、熱硬化過程において測定のために発生する試料への温度履歴の影響を抑制した、短時間での応力挙動評価を可能とした。また、熱硬化過程の評価結果より、残留応力の発生は樹脂硬化が一因であることや、各温度で生じる残留応力は樹脂の硬化状態を反映していることを明らかとした。