転換電子収量 XAFS を用いた Al₂O₃/GaAs 界面の Ga₂O₃ 層の分析

抄録

　半導体デバイスにおける基本構造の一つとして、絶縁膜/半導体接合が挙げられる。この接合界面における化合物半導体由来の酸化物層評価が半導体レーザの信頼性を向上させるために非常に重要となる。本研究では、転換電子収量法の Al₂O₃ 膜中における Ga K 吸収端の情報深さと Al₂O₃/GaAs 界面の Ga₂O₃ 層の解析を試みた。Al₂O₃ 膜中での Ga K 吸収端の情報深さは 170 nm であることを明らかにできたが、評価試料の Al₂O₃/GaAs 界面の Ga₂O₃ 層を検出することは出来なかった。