Ｘ線反射率による Si 基板上イオン注入層の評価

抄録

　Si 基板上の熱酸化膜及び B⁺ イオン注入膜について、Ｘ線反射率法による膜評価測定を実施した。膜構造モデルによるパラメータフィッティングの結果、熱酸化膜試料については、従来通り Si 基板よりもやや高密度な界面遷移層と酸化膜層を仮定したモデルで解釈できることが分かった。一方、酸化膜越しに B⁺ イオンを注入した試料については、基板界面の凹凸が大きく、酸化膜が低密度化するとともに膜厚が増加し、膜質が大きく変化することが分かった。