本研究ではフラックスゲート磁気センサの小型化・高感度化に向けて、現在コアに使用されている

ワイヤの作製及び大線径化を行う。それを実現するためにはワイヤの作製に必要な装置を開発して、ワイヤ作製環境を整える必要がある。本発表では、ワイヤの試作結果について、また装置の改善点について報告する。

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近年，CO2削減の観点から，IPMモータの高効率化のため，モータ鉄心に

薄帯を適用することが検討されており，薄帯の打ち抜きで作成した積層鉄心も実現されている．薄帯は，従来の電磁鋼板に比べて，低鉄損，高透磁率であるが飽和磁束密度が低い．そのため，鉄心を用いたIPMモータ（以下，モータと略す）の設計指針を明らかにする必要がある．そこで本報告では，磁界解析を用いて，モータ鉄心に薄帯の素材の理想的な磁気特性を与え，固定子のヨーク及びティース幅を変化させてトルク及び効率を算出し，その性能を明らかにするとともに，電磁鋼板の場合と比較検討する．

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フラックスゲート磁気センサは室温で動作する高感度な磁気センサであるが、小型化が困難であり微小領域の磁界計測に課題がある。磁性

ワイヤを磁性体コアに用いることで小型化が可能となるが、既存のワイヤでは断面積が小さく、十分なセンサ出力が得られない。そこでワイヤをコアとして用いるために、大線径化する必要がある。そこで本研究ではフラックスゲート磁気センサの小型化・高感度化に向けて、ワイヤの大線径化を行う。今回は、開発した装置を用いて試料を作製しワイヤ作製の再現性を高めるための装置の改良方針について報告する。

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近年の電力使用量の増加に伴い、省エネルギー化を目的に高効率モータやトランスの開発が求められ、鉄心に低鉄損の

磁性材料を用いることが注目されている。磁性材料は電磁鋼板に比べて電気抵抗が高く、低損失であるという特徴がある反面、加工すると磁気特性が悪化するという欠点がある。また、厚みが極めて薄いためカシメることができないので、磁性材料を成層鉄心として用いるには接着積層することが必要である。そこで本報告では、磁性材料の磁気特性を活かした成層化技術の開発を目的として、磁性材料の積層接着が磁気特性に及ぼす影響ついて検討を行った結果を報告する。

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近年、環境保護や省エネルギーの観点から低損失を実現するための最適設計が世界中で研究されている。変圧器分野では、Fe-Si-B合金によって作られた巻鉄心が1990年代に開発され、市場では高効率変圧器として現在流通している。しかし、鉄心は従来の珪素鋼板鉄心よりも占積率が悪いため、ビルディングファクターが悪化してしまう。これを改善するために実際の変圧器の明確な局所磁気特性が必要となる。評価方法は、より実際の使用条件に近づけるために、鉄心全体の磁束密度波形を正弦波に制御した後、鉄心内の局所磁気特性の測定を行い、その結果を報告する。

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　金属箔などを重ね、絶縁されたアルミニウム薄板で挟み、これらを平板状ワンターンコイルの間に挿入し、電磁圧接した。内側の箔などが圧接された。圧接された箔の外観、接合界面の観察結果、引張せん断試験結果などを報告する。

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The atmospheric pressure plasma CVD (AP-PCVD) process was applied to the fabrication of intrinsic layer (i-layer) of single-junction amorphous silicon (a-Si) solar cells. The i-layers were prepared with extremely high deposition rates in atmospheric pressure VHF (very high frequency) plasma of gas mixtures containing He, H₂ and SiH₄. The other layers were deposited by the conventional low-pressure techniques. The I-V characteristics and the spectral sensitivity under AM-1.5, 100mW/cm² illumination, and the I-V characteristics in the dark state of the solar cells were investigated as functions of the deposition parameters of the i-layers such as input power, hydrogen concentration (H₂/SiH₄) and Substrate temperature. The energy conversion efficiency (η) of the solar cell was strongly affected by the optical absorption characteristic of the i-layer. η of 6.6% was achieved when the deposition rate of i-layer was 168nm/s. At this deposition rate, it might be possible by scanning substrate to form i-layer of the thickness of 0.3μm on the substrate of 1m×1m area in 350 seconds, which was nearly 10 times faster than that by the conventional low-pressure plasma CVD technique.

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カルコゲナイド系半導体と, テトラへドラル系半導体との類似と相違に注目しながら最近の応用を中心に概説した. シリコンの新しい展開方向を探るにはセレン半導体のたどって来た道を注視することが大切と思われる.

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炭素はsp^2^,sp^3^比と水素の含有率の二つの量を用いた大雑把な分類が行われているが、分類基準の正確な議論はあまり行われていない。その理由は、実験よるに炭素の作成において、出来上がる構造の種類がその作成方法に強く依存してしまい、豊富な炭素構造の洗い出しが十分でないためと考えられる。本研究ではマルチカノニカルアンサンブル分子動力学用いることによって、炭素構造の洗い出しと構造の分類を試みた。結果として水素を含まない炭素においてもsp^2^,sp^3^比だけでは構造の分類が十分ではないことを示し、それらの構造間の活性化障壁エネルギーを見積もることに成功した。

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近年，開発される新薬候補化合物の多くが難水溶性を示し，経口投与時に十分な血中薬物濃度が得られないケースがある．難水溶性薬物の溶解性改善を目的として非晶質(

)化が検討されているが，非晶質状態の薬物は結晶と比較して不安定であり，結晶状態へと転移してしまう．そこで，非晶質の新たな安定化手法としてコに関する報告が増加している．コとは複数の低分子化合物から成る非晶質の一形態であり，化合物間の分子間相互作用が非晶質状態の安定化に寄与していると考えられている．コを構成する成分間で共結晶が形成される場合，コの保存や水分散時に共結晶へと転移する事例が報告されている．また，コの安定化の観点から，高分子を添加しコの共結晶化を抑制した報告がある一方で，高分子の添加により共結晶を調製することに成功した例もある．このように，コの共結晶化における高分子の影響を体系的に報告した論文はほとんどないのが現状である．本稿では，固体状態におけるコから共結晶への転移過程における結晶成長速度を薬物の分子運動性の観点から評価し，高分子添加の影響について言及したLuoらの論文を紹介する．

なお，本稿は下記の文献に基づいて，その研究成果を紹介するものである.

1) Pekar K. B. et al., Cryst. Growth Des., 21, 1297-1306(2021).

2) Luo M. et al., Mol. Pharm., 21, 3591-3602(2024).

3) Ding F. et al., J. Pharm. Sci., 112, 513-524(2023).

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ABO₃型の強誘電性物質の状態について解説する.ここで用いる誘電体とは,上記の意味で,ガラスや無機ガラスではない.誘電体としてPbTiO₃とLiNbO₃を例にとり,その形成を,ロール対法とスパッタ法と比較して説明する.スパッタ法によって得られる特有のPbTiO₃, PbTiO₃の結晶化過程,LiNbO₃の示す高誘電率の原因等について述べる.

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電力の有効利用のため電気機器の低損失化が求められている。変圧器の低損失化においては、鉄損が電磁鋼板の1/10である磁性材料が注目されている。はビルディングファクタが大きいことに課題があるが、焼鈍を施すことによってビルディングファクタが低減できることが報告されている。のビルディングファクタを低減させる焼鈍条件を明らかとするため、焼鈍装置と磁気特性評価用の単板磁気試験器の設計を行った。設計した薄帯用単板磁気試験器並びに有限要素磁界解析で得られた知見について報告する。

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