メタルゲート
電極形成が,ゲート絶縁膜リーク電流や信頼性に及ぼす影響を評価した.スパッタリング法によるWゲートたい積では,表面への物理ダメージにより絶縁膜特性が劣化した.一方,窒素ガスを用いた反応性スパッタリング法によるWN
x. ゲートたい積では,たい積工程中の絶縁膜表面窒化により絶縁膜特性劣化が抑制された.これは電極たい積時に形成された絶縁膜表面のダングリングボンドが,窒化により終端化されたことに起因する.表面窒化量はたい積時の窒素流量比により制御でき,約1.5at.%の表面窒化により,リーク特性は2けた以上回復した.一方,過度の表面窒化は電子卜ラツプ確率を増大させ,絶縁膜寿命が劣化した.
抄録全体を表示