照射欠陥を導入したタングステンからの重水素脱離挙動

抄録

中性子照射効果を模擬するためイオン照射で欠陥導入したタングステン試料に3つの異なる方法、すなわち(1)リニアプラズマ装置を用いた高フラックスプラズマへの曝露、(2)低エネルギー低フラックス原子状重水素への曝露、(3)重水素ガスへの曝露により重水素を導入した。そののち昇温脱離特性を調べたところ、重水素保持量には大差はなかったが脱離温度は大きく異なり、上述の(2)、(3)で重水素を導入した場合には700 K以上の高温でのみ脱離が生じた。以上の結果から、照射欠陥による水素同位体捕獲機構について考察する。