抄録
現在，ULSIの内部配線材料にはCuが用いられている．Cuは熱処理プロセス時等に絶縁膜中に拡散し，デバイス特性を劣化させるため，拡散を防ぐバリア層がCu / 絶縁膜間に設けられている．一般的にバリア層の形成にはドライプロセスが用いられているが，我々は，段差被覆性に優れるウェットプロセスに注目し，有機分子膜と無電解めっき法を併せ用いるプロセスを開発した．本論文では、次世代の極微細配線への応用を見据えた薄膜バリア層の開発を試みた．具体的には無電解NiBめっきの高い核発生密度と無電解CoWPめっきの高い拡散防止特性に着目し，CoWP / NiB膜プロセスを提案，導入することで安定した薄膜形成を可能とした．
