無電解パラジウムめっき上の無電解金めっきプロセスの検討

抄録

無電解Ni-P/Pd/Auめっきプロセスは、実装信頼性が優れており、半導体パッケージ基板などの表面処理として採用されはじめている。通常、当プロセスでのワイヤーボンディング仕様では、0.03～0.30μm程度のAuめっき厚が要求される。一般的にPd上にAuを厚付けする場合、置換Auめっき後に還元Auめっきを施すが、いくつか課題がある。そのため、置換厚付けAuめっきを適用する例も増えている。しかしながら下地Niの局部腐食発生等の課題があり、実装信頼性も不明である。そこで本研究では、Pd上に置換厚付けAuめっきを行った際、下地Niの局部腐食を抑制するAuめっき浴を検討と、実装信頼性評価を行った。