抄録
近年、情報通信機器の処理能力を向上させるためロジックデバイスとメモリーデバイスなどを同一パッケージ内に積層化する高集積化技術が重要となってきている。しかし、デバイスの積層化が進むと発熱密度が増大するため、適切な放熱が困難な状況になることが予想されている。さらに3次元積層構造のデバイスにおいてはシリコン基板の厚みが薄くなるため、熱分散および放熱がますます困難になると予想される。そこで我々はバイス発熱部から瞬時に熱分散を行い、ホットスポットの発生を低減することによりトランジスタリーク電流ロスの低減を実現するための高熱伝導多層膜材料をデバイスチップに直接形成する技術を開発したので報告する。
