表面活性化接合を用いた垂直配向カーボンナノチューブと金薄膜の接合と転写

抄録

本研究では、表面活性化接合法により垂直配向MWNTとSi上に蒸着したAu薄膜の接合に成功した。さらに、垂直配向MWNTを配線材として用いるため、Au薄膜とMWNTの接合後、MWNTを成長基板から剥離し、さらに別のAu薄膜との接合に成功した。その結果、表面活性化接合によるAr高速原子ビームの照射により接続抵抗が100分の1に低減することがわかった。