電気学会誌
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特集：パワーデバイス用半導体結晶 —Si, SiC, GaN, ダイヤモンド, Ga2O3—
パワーデバイス用GaN on Si結晶
—AlN核形成層の重要性—
松本 功, 山岡 優哉
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キーワード: MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), AlGaN/GaN HEMT on Si substrate, AlN nucleation layer
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2017 年 137 巻 10 号 p. 681-684

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抄録

1．はじめに

近年，Siウェーハを用いたGaN on Siパワーデバイスの開発が活発である（1）。

図1にAl GaN/GaN HEMT on Siエピタキシャルウェーハ（以下，HEMT on Siエピウェーハ）の構造を示す（2）。GaとSiのメルトバックエッチング（3）を防止するため初期

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