（一財）電力中央研究所
2017 年 137 巻 10 号 p. 677-680
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1．はじめに
シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは，現有シリコン（Si）デバイスよりも低損失動作が可能であることから，各種の電力変換機器の高効率化を通じて，大きなCO2排出量削減効果をもたらす技術として注目されている（1）（2）。最近では，600～3 300V級のSiCショットキーバ
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