特集：パワーデバイス用半導体結晶 —Si, SiC, GaN, ダイヤモンド, Ga2O3—
パワーデバイス用GaN on GaN結晶
2017 年 137 巻 10 号 p. 685-688
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2017 年 137 巻 10 号 p. 685-688
1．はじめに
GaN系半導体は，当初からその高い絶縁破壊電界と移動度からパワーデバイスとして，従来のSiやワイドギャップ半導体のSiCを超えるポテンシャルを認識されていたが，発光デバイス市場という広大なフロンティアが存在したため，初期の開発のほとんどは発光デバイスの実現，実
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