総論：パワーコンバータにおけるスイッチングの高周波化と受動素子

抄録

1．はじめに

窒化ガリウム（Gallium Nitreide：GaN）や炭化ケイ素（Silicon Carbide：SiC）など次世代ワイドバンドギャップ半導体素子の登場はパワーエレクトロニクス分野に大きなインパクトを与えている。図1に横軸に動作周波数，縦軸に電力容量をとったときのシリコン（Silicon：Si），