抄録
Co-Cr薄膜をSi(100)、表面酸化SiO_2/Si、glass基板に堆積させて、基板による膜の結晶性及び磁気特性の変化を評価した。また、Co-Cr-Ta記録層の下地層としてTa層の導入を検討した。Pure Si(100)基板を用いることにより記録層の垂直異方性エネルギーK_uが増加し、同時に膜初期成長領域で粒子サイズが微細かつ均一な分布の膜が堆積された。一方、Ta層によってその上部に堆積されたCo-Cr-Ta層の結晶性が改善し、δ_<Co>:50nm以下の領域で垂直保磁力が向上された。特に、Co-Cr-Ta/Ta膜を500[℃]でannealingすることにより垂直保磁力が増加し、垂直異方性磁界H_kが11[kOe]以上に上昇した。
