ZnS蛍光体への電子線侵入距離の検討(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)

抄録

低加速電圧領域でのZnS蛍光体への電子線侵入距離を検討した。2層膜構造蛍光体による侵入距離の実測とMonte Carloシミュレーションを用いた計算による解析を行った。2層膜構造蛍光体の測定では、ZnS:Cu,Al蛍光膜への電子線侵入距離は加速電庄7kv、粒径4μmで約12μm程度、粒径8μmで約16μm程度と推定できた。しかし、低加速電圧5-10kVでは、加速電庄の違いにより侵入距離にほとんど違いがなかった。この原因は測定とシミュレーション結果との比較から、低加速電圧での侵入距離に膜中ピンホール、粒界が大きく関与しているためと考えられる。