ＰドープＺｎＭｇＴｅエピ膜の成長特性に及ぼすＤＥＴｅ供給量依存性

林田 裕次; 斉藤 勝彦; 田中 徹; 郭 其新; 西尾 光弘

doi:10.11527/jceeek.2011.0_109

抄録

Ｚｎ_1-ｘＭｇ_ｘＴｅ（ＺｎＭｇＴｅ）はＺｎＴｅを活性層としたダブルヘテロ構造のクラッド層に使用することによって，緑色発光デバイスの高効率，高輝度化に有効である．先の研究で，量産性に有利なＭＯＶＰＥ法を用いて，ＺｎＴｅ基板上への本材料のエピタキシャル成長についての基礎データを収集した．発光デバイスの実現のためにドーピングに関する知見が必要不可欠であるが，Ｐド－プｐ型ＺｎＭｇＴｅに関する実験例は少ない．そこで，本研究では，Ｐド－プｐ型ＺｎＭｇＴｅに注目し，Ｔｅ原料がＭｇ組成にどのような影響を及ぼすかなどの成長特性に及ぼす効果を明らかにすることを目的とした．

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