ZnTe緑色LEDのAl電極透明化の為のAlエッチング特性

抄録

これまで，拡散制御層を用いてｐ型ＺｎＴｅへＡｌを低温で熱拡散させることにより良質なｐｎ接合が形成でき，市販品レベルの効率を有する緑色ＬＥＤの試作に成功しているが，ＺｎＴｅの自己吸収効果が大きいので，これを軽減化するためにｎ型側（Ａｌ電極側）から光を取り出すことが望まれる．そこで，本研究では，これを実現するために，ウェットエッチング液を用いてＡｌ膜をエッチングし，最終的にＡｌ膜の膜厚を１０ｎｍ程度まで薄くすることにより光を透過させることが可能な手法，即ちＡｌ電極透明化のための技術開発を行なった．具体的には，Ａｌ薄膜のエッチング基礎特性を明らかにすると共に，Ａｌの薄膜化を達成することを目的とした．