SiC-MOSFETを用いた電気自動車用1kW級インバータの効率特性に関する基礎的検討

抄録

これまでに著者らは，Siに代わる次世代パワーデバイスとして期待されているSiC-MOSFET（ROHM：定格600 V，5 A）について，デバイス特性を現行のSi-MOSFET と比較検討し，結果を元に電気自動車への搭載を目的としたインバータの作製を行ってきた。そこで本稿では，以前作製した600 Wより大容量化を図った1 kWのインバータをSiC-MOSFET (ROHM：定格 600 V, 10 A) とSi-MOSFET (東芝：定格 600 V, 20 A) を用いてそれぞれ作製した。これらについて，抵抗負荷時に出力電力を変えた時の効率測定を行い，SiCの方がSiよりも高効率であり，特に低出力領域で差が顕著であるという結果が得られたことを報告する。