抄録
ディスプレイや太陽電池の電極には，透明性と導電性を併せ持ったITO薄膜が主に使用されている．しかし，ITOの主成分であるインジウムは希少金属であり，かつ毒性がある．本研究ではITO薄膜の代替品として，AZO薄膜をPLD法により作製した．しかし，作製したAZO薄膜はITO薄膜と比べ，導電性の面で劣っていることがわかった．そのため，作製後のAZO薄膜を大気中または真空中でレーザーアニールすることによって，AZO薄膜の特性改善を試みた．その結果，AZO薄膜の結晶性が向上し，移動度の上昇と抵抗率の減少が確認された．また，アニール時間を長くすることによって抵抗率は減少することがわかった．
