FG共有型FG-MOSインバータを用いた多値論理回路の評価

抄録

近年、トランジスタの微細化とともに増加しているチップ内の配線量を低減する一手段として「多値論理システム」が提案されており、本研究室ではFloatingGate(FG)-MOSFETを用いた多値回路の研究を行っている。しかし、FG-MOSFETはFG面積が大きいという問題があるため、これまでに、２つのFG-MOSFETで構成されるFG-MOSインバータのFGを共有することで回路面積の縮小を実現している。本研究では、その共有したFG-MOSインバータを多値論理回路に組み込んで共有前後での特性の比較を行った。