抄録
シリコン(Si)は，LSIや太陽電池などの電子デバイスに用いられている重要な半導体材料である．シリコンの膜堆積・エッチングなどの加工において，シリコンと水素ラジカル・イオンの反応は特に重要であり，長年研究されている．しかし，その反応過程については，十分には解明されていないことも多い． 今回，我々はSi(111)基板と水素プラズマの反応過程を「その場」・「実時間」計測できる多重内部反射赤外吸収分光法(MIR-IRAS)を用いて調べ，特に基板バイアスを印加する効果について調べた．水素プラズマの曝露により，Si表面はアモルファス化を伴った水素化が起こる．その反応過程について詳細に論ずる予定である．
