抄録
InGaNは3族元素であるInとGaの含有率を変化させることで，バンドギャップをInNの1.9(0.7) eVからGaNの3.4 eVの間で任意に変化させることができ，可視光領域を全てカバーすることができる。我々は以前，設備費用が安価であり，低温成長が可能なスパッタリング法により，サファイア及びSi基板上にInGaN薄膜を作製した。本研究ではサファイア，SiよりもInGaNとのミスマッチがさらに小さなYSZ基板を用いることで薄膜に与える影響を検討した。InターゲットとGaAsウェハを別々に設置し，GaAsウェハに印加する高周波出力を変化させ得られたInGaN薄膜の結晶性，組成を評価した。また，YSZ(111)基板上とYSZ(100)基板上における結晶性や結晶構造などの比較も行った。
