有機金属気相成長法によるZn_1-xMg_xSe_yTe_1-y薄膜の成長とMg組成の制御

抄録

四元混晶半導体ZnMgSeTeは，xとyの組成により広い範囲でバンドギャップと格子定数を制御することができるので，バンドギャップを幅広く変えてもZnTeとの格子整合が可能となる. その結果，ZnTeとの高品質なヘテロ接合によりZnTeの純緑色LEDの性能向上が期待される。しかし，量産性に優れた有機金属気相成長法による研究例はほとんど報告されていない．そこで，これまで有機金属気相成長法を用いて基板温度やDESe供給量のZnMgSeTe膜の組成への影響を調べてきた．本研究では， Mg組成の制御を目指して，有機金属気相成長法を用いてZnMgSeTe膜の成長を行い，Mg供給量の組成への影響を明らかにしすると共に，Mg供給量でZnTeとの格子整合が可能であるかを調べた．