SiCパワーモジュールを用いた誘導加熱用高周波インバータ

荻原 弘之; 糸井 節; 中岡 睦雄

doi:10.11527/jceeek.2015.0_79

平成27年度電気・情報関係学会九州支部連合大会（第68回連合大会）講演論文集

セッションID: 02-1P-03

DOI https://doi.org/10.11527/jceeek.2015.0_79

会議情報

主催: 電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会

会議名: 平成27年度電気・情報関係学会九州支部連合大会

回次: 68

開催地: 福岡大学

開催日: 2015/09/26 - 2015/09/27

SiCパワーモジュールを用いた誘導加熱用高周波インバータ

*荻原弘之, 糸井節, 中岡睦雄

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抄録

SiCパワー半導体デバイスはオン抵抗の低減，スイッチングの高速化に適しており，電力変換装置の変換効率の向上と高周波動作が期待できる．本研究ではSiCパワー半導体デバイス(1200V/120A)を使用し，出力周波数100kHzで動作する誘導加熱用フルブリッジ形とZVS-SEPP形高周波インバータの2種類を試作し，シミュレーション結果と試作実験結果から評価，検討している．その結果，良好な高周波特性と高い変換効率を確認できた．

責任著者(Corresponding author)

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