抄録
ワイドギャップ半導体であるGaNは，発光ダイオード等の光デバイスに広く応用されている材料であり，また次世代パワーデバイス用材料として注目を集める材料である．従来からGaN成長用基板には，サファイアが用いられてきたが，応用上の優位性への期待等を背景に，その他種々の結晶材料を基板として用いた研究が行われている．我々は，高移動度の特徴を持つGaAsに着目し，GaAsターゲットを用いたスパッタリング法によるGaAs(111)基板上へのGaN薄膜成長研究を進めている．今回は，反応性スパッタリングガス（Ar+N2）の混合比を幅広く変化させてGaN薄膜成長を行い，得られた薄膜の結晶性等を評価した．
