二酸化窒素がカーボンナノチューブFETの電流輸送特性に及ぼす影響

抄録

半導体型単層カーボンナノチューブ(SWCNT)はガス分子の吸着によってキャリア密度が変化し、電子の輸送特性が変化する。筆者らは、半導体型SWCNTをチャネルに利用した電界効果トランジスタ(FET)を作製し、窒素酸化物である二酸化窒素がSWCNT-FETの電流輸送特性に及ぼす影響を調べた。本研究では、裏面にドープされたシリコンのゲート電極を配したシリコン酸化膜上にマイクロ電極を作り、誘電泳動集積法によって電極間にSWCNTを橋絡させ、バックゲート構造のFETを作製した。二酸化窒素曝露前後のゲート電圧に対するドレイン電流を比較した。