平成29年度電気・情報関係学会九州支部連合大会（第70回連合大会）講演論文集
セッションID: 09-2A-10
会議情報
主催: 電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会
会議名: 平成29年度電気・情報関係学会九州支部連合大会
回次: 70
開催地: 琉球大学
開催日: 2017/09/27 - 2017/09/28
パルスパワー発生器のためのSiC-MOSFETスイッチング特性の研究
詳細
主催: 電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会
会議名: 平成29年度電気・情報関係学会九州支部連合大会
回次: 70
開催地: 琉球大学
開催日: 2017/09/27 - 2017/09/28
We researched to apply discrete power device to the primary switch of pulsed power generator. In this study, we conducted a comparative switching test of two type of power devices, Silicon based Insulated Gate Bipolar Transistor and Silicon Carbide based Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (SiC-MOSFET). As a result of the switching test, the SiC-MOSFET obtaind excellent switching characteristics with low loss. A high voltage pulsed power of nanosecond order was generated by using six parallel SiC-MOSFETs, a saturable transformer, and a fast recovery diode.
