CFDシミュレーション熱モデルと実測の合わせ込みによるMOSFETのBody-DiodeとSaturate モードでの実測差異解析

抄録

パワーMOSFETパッケージの熱流束分布はダイの発熱エリアに大きく影響される。異なる動作条件での温度特性が違うため，発熱分布も異なる。その結果，飽和領域(V_th < V_gs < V_th+V_ds)とBody-Diodeモードで測定した熱抵抗値に差が見られる。本論文は，市販のパワーMOSFETを用いて過渡熱測定を行い，CFDシミュレーションの熱モデル合わせこみ技術を使用してこの現象を解析する。