最適化された低エネルギー一次イオン照射条件下におけるTOF-SIMSサンプリング深さの極浅化

抄録

実効的な二次イオン·サンプリング深さの極浅化を目的とし、TOF-SIMS一次イオンの低エネルギー照射を試みた。その結果、低エネルギー斜入射条件(2keV、75度)では、アラキジン酸Cd一分子層で覆われたシリコン基板からのSi⁺強度を1/20程度に抑える効果が確認できた。また、一方、低エネルギー一次イオン照射時の質量分解能を最適化する作業も同時に検討され、低エネルギー一次イオン照射時の解析精度は、質量分解能の面から、通常のエネルギー照射と同等に高めることが可能なことも確認された。